东吴证券：AI拉动景气度向上叠加业绩拐点存储板块成长动能充足

东吴证券研报表示，市场担心前期存储板块涨价主要系海外原厂控产导致，持续性堪忧，但我们认为下游需求逐步回暖叠加HBM新品需求及DDR5渗透率持续提升，存储板块成长动能持续接力。存储国产化势在必行，重点关注存储产业链。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及涨价传导业绩改善观测，大厂HBM及DDR5等新品扩产明确，国产化存储产品突破、AI及下游需求回暖等持续催化，我们在当前时点看好存储涨价传导业绩反弹及AI算力存储国产主线。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动，基于产业配套及国产化替代等逻辑，我们认为存储板块重点看两条主线：1)涨价逻辑业绩反弹标的：佰维存储（2023年四季度毛利率环比提升超过13个百分点）、德明利（全年扭亏，第四季度净利润大幅增长）、江波龙（营收破百亿元，四季度扭亏为盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存储国产化相关标的：佰维存储（研发封测一体化厂商）、朗科科技（国内大湾区算力枢纽核心存储模组厂商）、香农芯创（海力士国内核心分销商）、万润科技（与国内存储大厂密切合作）、同有科技、澜起科技等。

全文如下

AI拉动景气度向上叠加业绩拐点，存储板块成长动能充足

投资要点

存储产品价格持续上涨，有望打开量价齐升局面。伴随海外大厂持续降低稼动率、去库存，存储板块自23Q3触底反弹进入涨价上行通道。DRAM、NAND颗粒价格均自23Q4起涨，Wafer涨价趋势明显。随着海外大厂积极减产提价叠加AI催化，下游拉货意愿强烈，存储市场供不应求行情显著。随着需求的进一步回暖，涨价有望持续，量价齐升。此外，HBM、DDR5等高附加值产品渗透率逐步提升，有望拉动存储价格进一步上涨。

行业整体回暖，国内模组厂业绩拐点已现。1）海外市场：收入端，存储行业下行导致多家企业的营收出现下跌，但AI发展带来了对服务器和移动端产品的高需求，部分公司业绩回弹。利润端，2023年Q1行业整体毛利率大幅下降，企业通过提升产品ASP成功提升盈利能力。各公司通过成本管理收窄亏损额，行业逐步回暖。头部公司的库存周转天数下降，预示市场环境逐步改善。产品端，NAND业务2024Q1稼动率仍较低，而HBM和DDR5产能有所回升，资本支出将聚焦于这一领域。整体来看，DRAM和NAND供给逐季减少，产品市场价格有望提升，根据TrendForce预测，NANDFlash2024Q1合约价季涨幅为18%-23%，DRAMQ1涨幅13-18%。2）国内市场：业绩方面23Q3绝大部分厂商都实现了环比增长，部分厂商营收实现同比增长，随着23年业绩预告逐步公告，模组厂Q4已经迎来业绩拐点。

智能手机、PC等下游需求改善叠加HBM等新品需求提升，存储行业成长动能充足。随着数字化的发展，智能手机、智能穿戴设备、PC、服务器等产品需求量增加，带动了存储芯片的需求增长。2023Q4全球智能手机出货量达到3.261亿台，可穿戴设备2023Q3全球出货量同比增长2.6%，达到1.5亿台。根据Gartner数据，2023Q4全球PC出货量总计6330万台，比2022Q4增长0.3%。根据IDC数据，预计服务器2026年全球市场规模和出货量将达到1665.0亿美元和1885.1万台。

投资建议：市场担心前期存储板块涨价主要系海外原厂控产导致，持续性堪忧，但我们认为下游需求逐步回暖叠加HBM新品需求及DDR5渗透率持续提升，存储板块成长动能持续接力。存储国产化势在必行，重点关注存储产业链。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及涨价传导业绩改善观测，大厂HBM及DDR5等新品扩产明确，国产化存储产品突破、AI及下游需求回暖等持续催化，我们在当前时点看好存储涨价传导业绩反弹及AI算力存储国产主线。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动，基于产业配套及国产化替代等逻辑，我们认为存储板块重点看两条主线：1)涨价逻辑业绩反弹标的：佰维存储（Q4毛利率环比提升超过13pcts）、德明利（全年扭亏，第四季度净利润大幅增长）、江波龙（营收破百亿元，四季度扭亏为盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存储国产化相关标的：佰维存储（研发封测一体化厂商）、朗科科技（国内大湾区算力枢纽核心存储模组厂商）、香农芯创（海力士国内核心分销商）、万润科技（与国内存储大厂密切合作）、同有科技、澜起科技等。

风险提示：涨价传导不及预期风险；宏观经济形势变化风险；龙头厂商减产不及预期风险；下游复苏不及预期风险。