长鑫存储申请半导体结构和半导体结构的制造方法专利，提高半导体结构的性能

2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体结构的制造方法“，公开号CN117794238A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，半导体结构包括：衬底，所述阵列区的所述衬底内具有晶体管组，所述晶体管组包括在第一方向排列的多层晶体管；所述晶体管包括字线、第二源漏极和两个第一源漏极，所述字线与所述第二源漏极在第二方向排布，两个第一源漏极在所述第一方向上排列，并位于所述字线的相对两侧；在所述第一方向上，相邻两个所述晶体管共用一个所述第一源漏极；所述外围区内具有子字线驱动器，所述字线与所述子字线驱动器电连接，所述子字线驱动器不同时为所述第一方向上相邻两条所述字线提供开启信号。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。