长鑫存储取得接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构专利，减小了两者的接触电阻

2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构“，授权公告号CN114256136B，申请日期为2020年9月。

专利摘要显示，一种接触窗结构、金属插塞及其形成方法，所述接触窗结构的形成方法、半导体结构，在目标层表面上形成环形垫片，所述环形垫片中间具有暴露出目标层部分表面的中央通孔；形成覆盖所述基底、目标层和环形垫片的介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成与中央通孔连通的刻蚀孔；沿刻蚀孔和中央通孔去除所述环形垫片，使得中央通孔的尺寸变大，所述刻蚀孔与尺寸变大后的中央通孔构成接触窗结构。通过形成的环形垫片，在形成接触窗结构时，通过去除所述环形垫片时，可以使得中央通孔的尺寸变大，从而使得接触窗结构底部的尺寸会变大，在接触窗结构中形成金属插塞时，使得金属插塞底部与目标层的接触面积增大，减小了两者的接触电阻。