长鑫存储取得半导体器件专利，使得半导体器件即使整体面积减小了，也不会影响到半导体器件的经典释放性能

2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件“，授权公告号CN113497027B，申请日期为2020年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的掺杂阱区；M个半导体单元，M个半导体单元位于第一导电类型的掺杂阱区内，且在第一导电类型的掺杂阱区中沿着第一方向排布，M为正整数；半导体单元包括第二导电类型的第一掺杂区和第一导电类型的掺杂区，第一导电类型的掺杂区环绕第二导电类型的第一掺杂区；第二导电类型的第二掺杂区，第二导电类型的第二掺杂区位于M个半导体单元沿第一方向的至少一侧，且第二导电类第二导电类型的第二掺杂区使得M个半导体单元整体的边缘形成有具有低导通电压和高维持电流的区域，继而获得较好的静电释放性能，使得半导体器件即使整体面积减小了，也不会影响到半导体器件的经典释放性能。