长鑫存储申请半导体结构及其读写控制方法和制造方法专利，提高半导体结构的电学性能

2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其读写控制方法和制造方法“，公开号CN117832252A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其读写控制方法和制造方法，半导体结构包括：基底以及位于基底上的数据线，数据线沿第一方向延伸；位于数据线上的第一晶体管和位于第一晶体管远离数据线的一侧的第二晶体管；其中，第一晶体管和第二晶体管中均包括：半导体柱，半导体柱位于数据线的部分顶面且沿第三方向延伸；半导体柱内部具有隔离结构，沿第二方向上，不同区域的隔离结构在第三方向上的厚度不同，且隔离结构贯穿半导体柱，第一方向、第二方向和第三方向两两相交。本公开实施例至少有利于在降低第一晶体管中的漏电流的同时，提高第二晶体管对第一晶体管中电流变化的感应灵敏度，以提高半导体结构的电学性能。