长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，专利技术能有效提高字线隔离结构的隔离效果，提升半导体结构的性能

2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117835694A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括衬底和多条字线；多条字线均沿第一方向延伸，且沿第二方向间隔设置于衬底上，每相邻两条字线之间均设置有字线隔离结构；字线隔离结构至少包括沿第二方向层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层和第二隔离层的材料不同，第一方向和第二方向相互交叉。本公开能够有效提高字线隔离结构的隔离效果，提升半导体结构的性能。