长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，实现高效的半导体结构制备

2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“，公开号CN117831581A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述结构包括：衬底；位于所述衬底上且分立设置的多个接触插塞，所述接触插塞包括第一接触插塞和第二接触插塞，所述第二接触插塞的高度大于所述第一接触插塞的高度；位于所述接触插塞上的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述第一磁性隧道结与所述第一接触插塞连接，所述第二磁性隧道结与所述第二接触插塞连接；其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二磁性隧道结的下表面与所述第一磁性隧道结的上表面之间存在第一预设距离。