三星取得半导体器件及其制造方法专利，第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能

2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN110931467B，申请日期为2019年8月。

专利摘要显示，提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。