普及100TBSSD，消息称三星明年推出第10代NAND：三重堆叠技术，最高430层

4月28日消息，三星半导体日前宣布量产第九代V-NAND1TbTLC产品，位密度（bitdensity）比上一代产品提高约50%，通过通道孔蚀刻技术（channelholeetching）提高生产效率。

第九代V-NAND采用双重堆叠技术，在旗舰V8闪存的236层基础上，再次达到了290层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。

而业内消息称三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，达到430层，进一步提高NAND的密度，并巩固和扩大其领先优势。

市场研究公司Omdia预计，NAND闪存市场在2023年下降37.7%后，预计今年将增长38.1%。为了在快速增长的市场中占据一席之地，三星誓言要大力投资NAND业务。

此前报道，三星高管表示，该公司的目标是到2030年开发超过1000层的NAND芯片，以实现更高的密度和存储能力。